报告分享了氧化镓和氮化铝研究进展。涉及氧化镓能带结构调控，包括β相氧化镓晶体结构、不同金属在固溶体中的站位、不同金属固溶体的能带结构、不同金属固溶体种空穴平均有效质量、铑固溶体中晶向分布等研究进展，以及氮化铝/富鋁镓氮光致发光测量，包括光学表征系统、氮化铝外延光致发光和少子寿命、富铝镓氮光致发光等研究进展。
报告显示，氧化镓面临着价带平坦，空穴质量大，空穴迁移率低，氧化镓p-型掺杂难，β-Ga2O3的热导率低等挑战。49种金属多数替换六配位Ga-I位原子更稳定。多数固溶构型有效质量减小，其中β-(Rh0.25Ga0.75 )2O3的数值为β-Ga2O3的52.3%。β-(RhxGa1-x)2O3价带顶能级显著上升，上升的幅度位于1.35~2.95 eV范围内。氮化铝面临着AlN掺杂较难控制，Si掺杂形成DX中心，激活能增加至200 meV；高掺Si出现补偿膝效应，形成VAl + nSiAl，导致电子浓度随着Si掺杂增加反而降低；AlN材料中拟合Mg激活能为630 meV；欧姆接触电阻大，加之AlN亲合能低，导致比接触电阻率高等挑战。
平湖实验室的研发方向涉及SiC器件及工艺、GaN器件及工艺、第三代跃升、第四代材料与器件等。报告指出，低碳化、电气化、智能化是实现碳中和的关键要素。工业革命伴随着能源革命，绿色、低碳、智能世界加速到来。科技改变未来，深圳平湖实验室将搭建研究与产业的桥梁，面向多种应用前景，与合作伙伴并肩突破，共创未来。
嘉宾简介
张道华，曾任新加坡光电协会主席，南洋理工大学竞争性研究项目审查委员会成员，电力与电子工程学院教授，电力与电子工程学院卓越研究计划委员会主任,微电子学系副主任，半导体发光显示中心副主任等职。他主持完成了30多个研究项目，包括新加坡第一批，南大第一个千万新元项目，被包括诺贝尔奖金获得者的评审团评定为“杰出世界级研究进展”。张道华目前是深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家。他是物理学会（FInstP）和工程技术学会（FIET）会士，新加坡工程院院士(FSAEng)。
关于平湖实验室
国家第三代半导体技术创新中心（深圳）于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技创新局举办成立深圳平湖实验室作为主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技术攻关。
实验室位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，100级洁净间面积9500平米，拥有业界领先的宽禁带功率半导体基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套。实验室人力规模350人，汇聚海内外顶尖人才，打造面向全国的开放、公共、共享的科研、中试和分析检测平台，共同构建可持续发展的未来。
（根据现场资料整理，仅供参考）
附：IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍
2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者，共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多种形式的活动，在近30个专题活动、230余个主题报告，台上台下展开探讨，从不同的角度分享前沿技术进展，交流探讨，观点碰撞，探求技术与产业化融合创新与发展之道。
IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿，论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家，以及参会人的投票，评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场，现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。返回搜狐，查看更多